Name: Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6413DQ-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-E3

Artikelnummer:

SI6413DQ-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP

Datenblätte:

1.SI6413DQ-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI6413DQ-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	800mV @ 400µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-TSSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 8.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.05W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.2A (Ta)
Grundproduktnummer	SI6413
SI6413DQ-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI6413DQ-T1-E3 PDF - EN.pdf

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